Карточка сотрудника
Разжувалов Александр Николаевич
Образование
Магистр физики
Физика
Томский государственный университет
Повышение квалификации
Проектирование и разработка образовательного онлайн-курса в технологии SMART (на базе LMS Moodle)
Национальный исследовательский Томский политехнический университет ФГАОУ ВО
Английский для сотрудников университета. Модуль 2
Национальный исследовательский Томский политехнический университет ФГАОУ ВО
Обучение по оказанию первой помощи пострадавшим
Национальный исследовательский Томский политехнический университет ФГАОУ ВО
Английский язык в научных и инженерных целях
Национальный исследовательский Томский политехнический университет ФГАОУ ВО
"Английский язык" модуль 4
Томский политехнический университет
Английский язык (для преподавателей нелингвистических специальностей)
Томский политехнический университет
Создание портфолио педагогических технологий преподавателя технического вуза
Томский политехнический университет
Публикации
- Razzhuvalov, Alexander Nikolaevich. Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Superlattices and Microstructures Scientific Journal: . — 2018 . — Vol. 122 . — [P. 624-630] . — Title screen. — [References: p. 630 (24 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Подробнее → - Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Journal of Applied Physics . — 2016 . — Vol. 120, iss. 5 . — [154302, 8 p.] . — Title screen. — [References: 30 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Подробнее → - Разжувалов, Александр Николаевич. Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы тезисы докладов 10-ой Всероссийской конференции, 23-25 марта 2015 г., Санкт-Петербург : / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2015 . — [С. 45-46] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 46 (8 назв.)]..
Подробнее → - Опыт Резерфорда (зондирование вещества быстрыми a-частицами) : методические указания к выполнению лабораторной работ по курсу "Атомная физика” для студентов II-III курса, обучающихся по специальностям 011200 - физика, 010700 - ядерная физика, 010800 -физика кинетических явлений, 070500 - ядерные реакторы и энергетические установки, 200600 -электроника и автоматика физических установок, 330300 - радиационная безопасность человека и окружающей среды / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; сост. А. Н. Разжувалов, Т. А. Тухфатуллин. — 1 компьютерный файл (pdf; 816 KB). — Томск: Изд-во ТПУ, 2012. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader..
Подробнее → - Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys = Physical simulation of GaN/AlGaN HEMT-heterostructures and power microwave transistors using Synopsys software / Н. А. Торхов [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) . — 2012 . — № 2 (26), ч. 2 . — [С. 145-151] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 150 (4 назв.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Подробнее →